SK하이닉스, 도시바 ‘나노 임프린트 리소그래피’ 기술 공동개발 협약 체결
(미디어원=정인태 기자) SK 하이닉스는 일본 도시바와 나노 임프린트 리소그래피 (Nano Imprint Lithography, 이하 ‘NIL’) 기술에 대한 공동 개발 본 계약을 체결했다고 5 일 ( 木 ) 밝혔다 . 양사는 지난 12 월 동 건에 대한 MOU 를 체결한 바 있으며 , 이번 본 계약 체결을 통해 실제 개발에 착수하게 된다 .
NIL 기술에 대한 공동 개발은 올해 4 월부터 양사 엔지니어들의 협업으로 도시바의 요코하마에 위치한 팹에서 진행될 예정이며 , 2017 년 즈음에 실제 제품에 적용될 예정이다 .
NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정기술로 평가 받고 있으며 , 막대한 투자가 선행되어야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적인 양산이 가능하다는 장점도 갖고 있다 . 업계는 공정 미세화의 한계를 극복하기 위해 EUV(Extreme Ultraviolet) 활용 등 다양한 노력을 해오고 있었으며 , NIL 기술도 한계 극복을 위한 방안 중 하나로 개발되어 왔다 .
이번 협력을 통해 양사는 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 돼 양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다 .
한편 SK 하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다 . 2007 년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며 , 2011 년부터는 차세대 메모리인 ‘STT-M 램 ’ 의 공동개발을 진행해 오고 있다 .
