(이정찬 기자 ㅣ미디어원) 삼성전자가 HBM4E를 공개하며 AI 반도체 경쟁의 판을 다시 흔들고 있다. 엔비디아 플랫폼과 협력을 확대하며 메모리를 넘어 AI 인프라 전반으로 전략을 확장했다.
삼성전자가 차세대 고대역폭 메모리(HBM4E)를 전면 공개하며 글로벌 AI 반도체 경쟁의 중심으로 다시 진입하고 있다. 이번 발표는 단순한 신제품 공개가 아니라, 메모리 기업에서 AI 인프라 기업으로의 전략 전환을 공식화한 신호라는 점에서 의미가 크다.
삼성전자는 미국 새너제이에서 열린 GTC 2026에서 HBM4E를 포함한 차세대 메모리 기술과 AI 데이터센터 중심의 솔루션을 공개했다. 현장에서 드러난 메시지는 분명했다.
이제 경쟁의 중심은 개별 칩 성능이 아니라, AI 시스템 전체를 얼마나 효율적으로 구성하느냐로 이동하고 있다는 점이다.
현재 AI 산업의 핵심 병목은 연산 능력이 아니다. 데이터를 얼마나 빠르게 이동시키고 처리할 수 있느냐, 즉 메모리 대역폭이 경쟁력을 좌우한다. 생성형 AI와 대형 언어모델이 폭발적으로 확산되면서 GPU 성능을 뒷받침할 수 있는 메모리 기술의 중요성은 더욱 커지고 있다.
이번에 공개된 HBM4E는 이러한 흐름을 정면으로 겨냥한 제품이다. 핀당 16Gbps 속도와 최대 4.0TB/s급 대역폭을 지원하며, 16단 이상 적층 구조를 통해 대규모 데이터를 고속으로 처리할 수 있도록 설계됐다.
이는 단순한 성능 향상이 아니라 AI 학습과 추론 과정에서 발생하는 병목을 구조적으로 줄이는 접근이다.
삼성전자가 강조한 또 하나의 축은 ‘토털 반도체 솔루션’이다. 메모리뿐 아니라 로직 설계, 파운드리(4나노 공정), 첨단 패키징까지 결합한 종합반도체(IDM) 구조를 전면에 내세웠다.
이는 특정 부품 공급을 넘어 AI 시스템 전체를 설계하고 공급할 수 있는 기업으로 자리 잡겠다는 전략이다.
특히 엔비디아와의 협력 확대는 이번 발표의 핵심 포인트다. 삼성전자는 엔비디아 차세대 플랫폼인 Vera Rubin을 중심으로 GPU용 HBM, CPU용 메모리 모듈, 서버용 SSD까지 통합 공급할 수 있는 구조를 제시했다. 이는 단순 협력 수준을 넘어 AI 인프라를 공동으로 설계하는 단계로 진입했음을 의미한다.
전시 구성에서도 이러한 전략은 명확히 드러났다. 삼성전자는 AI 데이터센터, 온디바이스 AI, Physical AI라는 세 가지 축을 중심으로 기술을 배치했다. 여기에 GDDR7, LPDDR6, PCIe Gen6 SSD 등 차세대 메모리 제품군을 함께 공개하며 메모리 전 영역을 아우르는 경쟁력을 강조했다.
HBM 경쟁의 승부처가 패키징 기술로 이동하고 있다는 점도 주목된다. 삼성전자는 기존 TCB(열압착 본딩) 대비 열 저항을 20% 이상 개선한 HCB(하이브리드 구리 본딩) 기술을 공개하며 고적층 구조에서의 발열 문제 해결 방향을 제시했다. 이는 AI 반도체에서 전력 효율과 안정성을 좌우하는 핵심 요소다.
또한 PCIe Gen6 기반 서버용 SSD와 메모리 확장 기술(CMX)을 통해 GPU와 스토리지 간 데이터 병목을 줄이는 구조도 선보였다. 이는 메모리 기업에서 데이터 흐름 전체를 설계하는 기업으로의 전환을 보여주는 사례다.
시장에서는 삼성전자의 이번 행보를 전략적 반격으로 보고 있다. 그동안 HBM 시장에서 경쟁사 대비 주도권 확보에 어려움을 겪어왔지만, 메모리·파운드리·패키징을 결합한 ‘토털 솔루션’ 전략으로 판을 뒤집겠다는 의지가 분명히 드러났다는 평가다.
결국 AI 시대의 경쟁은 칩 하나의 성능이 아니라 시스템 전체를 누가 지배하느냐의 문제로 바뀌고 있다. 삼성전자는 HBM4E를 통해 그 중심으로 다시 들어가려 하고 있다.
이번 발표는 단순한 기술 공개가 아니다.
AI 반도체 패권 경쟁에서 다시 주도권을 잡겠다는 선언이다.
